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FinFET的技術對移動設備的作用日益重要
發佈時間:2013-09-24 08:48:27
FinFET稱為鰭式場效晶體管，由於晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這(zhe)是一種新的(de)互補式金(jin)氧半導(dao)體(ti)(ti)（CMOS）晶體(ti)(ti)管。 FinFET是對場(chang)效(xiao)晶體管(guan)的(de)(de)一(yi)項創(chuang)新設計(ji)，變革了傳統晶體管(guan)結構(gou)，其(qi)控(kong)制(zhi)電流通(tong)過的(de)(de)閘(zha)門被設計(ji)成類似魚鰭(qi)的(de)(de)叉狀(zhuang)3D架(jia)構(gou)，將原來(lai)的(de)(de)單(dan)(dan)側控(kong)制(zhi)電路接(jie)通(tong)與斷(duan)開變革為兩側。
FinFET這樣創新設計的意義，在於改善了電路控制並減少漏電流，縮短了晶體管的閘長，對於製程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法等產生重要影響與變革。 FinFET技術升溫，使得半導體業戰火重燃，尤其是以FinFET生產應用處理器的技術，成為了業內廠商大力競爭的新著力點。
電(dian)晶(jing)體(ti)結構發(fa)展趨(qu)勢是越(yue)來越(yue)小，保(bao)證高(gao)效便宜(yi)的半導體(ti)晶(jing)片(pian)被研(yan)(yan)發(fa)。但是(shi)隨(sui)著(zhu)電(dian)晶(jing)體在空間(jian)上的線性微(wei)縮(suo)逐漸達(da)到極限，各種問(wen)(wen)(wen)題(ti)和挑戰(zhan)也就顯現出(chu)來，尤其是(shi)通(tong)道(dao)(dao)閘(zha)極控制效果降(jiang)低、漏電(dian)流增加、短通(tong)道(dao)(dao)效應出(chu)現等問(wen)(wen)(wen)題(ti)。這(zhe)些(xie)問(wen)題會帶來(lai)嚴重的後果(guo)，如電(dian)(dian)晶體不當關閉(bi)(bi)、電(dian)(dian)子裝置待(dai)機(ji)耗電(dian)(dian)量(liang)增加(jia)等(deng)。這對於目前的半導體產業和電子產業來說，無疑是無法滿足需求的。
而鰭式電晶體（FinFET）技術正是在這樣的狀況下應運而生，能夠通過三層閘極來有效壓制關閉狀態漏電流，解決上述問題。 FinFET技(ji)術能(neng)(neng)夠通(tong)過(guo)驅動電(dian)流(liu)轉化為低功耗和高效能(neng)(neng)，而且(qie)(qie)晶粒(li)尺寸也被縮(suo)小(xiao)。 FinFET技術對移動設備(bei)(bei)的來(lai)說(shuo)也(ye)變得日(ri)益重(zhong)要。自2011年英特爾推出商業化的22納米節點工藝的FinFET,目前FinFET已經在向20納米節點和14納米節點推進發展，並帶動整個半導體製造技術與產業的發展。
燦達電子，東莞連接器廠家，臺灣連接器廠家，電子連接器廠家
FinFET這樣創新設計的意義，在於改善了電路控制並減少漏電流，縮短了晶體管的閘長，對於製程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法等產生重要影響與變革。 FinFET技術升溫，使得半導體業戰火重燃，尤其是以FinFET生產應用處理器的技術，成為了業內廠商大力競爭的新著力點。
電(dian)晶(jing)體(ti)結構發(fa)展趨(qu)勢是越(yue)來越(yue)小，保(bao)證高(gao)效便宜(yi)的半導體(ti)晶(jing)片(pian)被研(yan)(yan)發(fa)。但是(shi)隨(sui)著(zhu)電(dian)晶(jing)體在空間(jian)上的線性微(wei)縮(suo)逐漸達(da)到極限，各種問(wen)(wen)(wen)題(ti)和挑戰(zhan)也就顯現出(chu)來，尤其是(shi)通(tong)道(dao)(dao)閘(zha)極控制效果降(jiang)低、漏電(dian)流增加、短通(tong)道(dao)(dao)效應出(chu)現等問(wen)(wen)(wen)題(ti)。這(zhe)些(xie)問(wen)題會帶來(lai)嚴重的後果(guo)，如電(dian)(dian)晶體不當關閉(bi)(bi)、電(dian)(dian)子裝置待(dai)機(ji)耗電(dian)(dian)量(liang)增加(jia)等(deng)。這對於目前的半導體產業和電子產業來說，無疑是無法滿足需求的。
而鰭式電晶體（FinFET）技術正是在這樣的狀況下應運而生，能夠通過三層閘極來有效壓制關閉狀態漏電流，解決上述問題。 FinFET技(ji)術能(neng)(neng)夠通(tong)過(guo)驅動電(dian)流(liu)轉化為低功耗和高效能(neng)(neng)，而且(qie)(qie)晶粒(li)尺寸也被縮(suo)小(xiao)。 FinFET技術對移動設備(bei)(bei)的來(lai)說(shuo)也(ye)變得日(ri)益重(zhong)要。自2011年英特爾推出商業化的22納米節點工藝的FinFET,目前FinFET已經在向20納米節點和14納米節點推進發展，並帶動整個半導體製造技術與產業的發展。
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