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Molex之高性能超低功率存儲器技術
發佈時間:2013-09-12 08:31:15
全球領先的全套互連產品供應商Molex公司推出了空氣動力型DDR3 DIMM插座和超低側高DDR3 DIMM 存儲器模塊插座產品組合，兩個產品系列均適用於電信、網絡和存儲系統、先進計算平臺、工(gong)業控(kong)制和(he)醫療(liao)設備(bei)中(zhong)要求嚴苛(ke)的存儲(chu)器(qi)應用(yong)(yong)。
DDR3是為支(zhi)持800 -1600 Mbps的(de)數據速(su)率(lv)(頻率(lv)400 - 800 MHz)而(er)製(zhi)定的(de)DDR DRAM接口技(ji)術，該數據速(su)率(lv)是DDR2接口的(de)兩倍。採用(yong)標準1.5V工(gong)作電壓(ya)，DDR3對比DDR2減(jian)少了(le)30%的功耗(hao)(hao)。 Molex的(de)(de)(de)(de)DDR3 DIMM插座(zuo)(zuo)的(de)(de)(de)(de)底座(zuo)(zuo)面比(bi)標(biao)準設(she)計更低(di)，在ATCA刀片(pian)系(xi)(xi)統中可以(yi)使(shi)用(yong)最大底座(zuo)(zuo)高(gao)度低(di)於(wu)2.80 mm的(de)(de)(de)(de)極(ji)(ji)低(di)側高(gao)模(mo)塊，新(xin)型DDR3 DIMM插座(zuo)(zuo)還具有10 mΩ的(de)(de)(de)(de)低(di)電(dian)平接觸電(dian)阻(zu)，以便使用註冊DIMM模塊並且在刀片式服務器中降低功耗。
Molex產(chan)品經理Douglas Jones表示：“隨著對更高(gao)帶(dai)(dai)寬(kuan)(kuan)的(de)(de)(de)需求繼續(xu)(xu)增長(chang)，能夠以較快(kuai)速(su)率傳(chuan)輸數據而不(bu)犧牲寶貴的(de)(de)(de)空(kong)間或功率是至關重(zhong)要的(de)(de)(de)。使(shi)用DDR3 DIMM插(cha)座(zuo)，讓我(wo)們(men)的(de)(de)(de)客(ke)戶(hu)不(bu)僅能夠充分利用最高性能的存儲器互連的優勢，而且又能維持或減小現有封裝尺寸並降低功耗。”
Molex 空氣(qi)動(dong)力型(xing)DDR3 DIMM插座具有(you)流(liu)線(xian)型(xing)外殼(ke)和閉鎖設計，以實現(xian)氣(qi)流(liu)最大(da)化，並消(xiao)除運作(zuo)期間聚集的熱空氣(qi)。人(ren)類(lei)環境(jing)學閉鎖設(she)計(ji)能夠實現(xian)快速動作(zuo)，並且輕易移開高(gao)密度存(cun)儲器模塊。 2.40 mm的(de)(de)低底座(zuo)面優(you)化了垂(chui)直空間(jian)，能更靈(ling)活地(di)設計插座(zuo)模(mo)塊的(de)(de)高(gao)度。空(kong)氣動(dong)力型DDR3 DIMM插座用(yong)於極低側(ce)高壓(ya)(ya)接(jie)(14.26 mm)、低側(ce)高壓(ya)(ya)接(jie)(22.03 mm)、低側(ce)高SMT (21.34 mm)和極低側(ce)高SMT (14.20 mm)高度，與(yu)標準壓(ya)(ya)接(jie)終端(duan)相比(bi)，這些壓(ya)接(jie)插(cha)(cha)座的(de)(de)針孔型(xing)順應引腳更小(xiao)，有(you)(you)效(xiao)節省(sheng)了寶貴(gui)的(de)(de)PCB空間，以適用於較高密(mi)度的(de)(de)電子線路設(she)(she)計(ji)。 Molex所有空氣動力型DDR3 DIMM插座均符合RoHS標準，SMT型款不含有鹵素。
Molex超低(di)(di)側高DDR3 DIMM插座(zuo)的底座(zuo)面(mian)高僅1.10mm，為(wei)業內最低(di)(di)。該(gai)插座(zuo)在PCB上(shang)提供最高20.23 mm垂直(zhi)空間，用(yong)(yong)於安裝高密(mi)度(du)DIMM，適用(yong)(yong)於要求符(fu)合ATCA電路(lu)板(ban)機械規範的(de)應(ying)用(yong)(yong)，這項規範要求前PCB板(ban)一側(ce)的(de)元件高度(du)不能(neng)超過(guo)21.33 mm。超(chao)低側(ce)高DDR3 DIMM插(cha)座(zuo)的(de)(de)閉鎖(suo)動作的(de)(de)角度較小(xiao)，所(suo)需(xu)(xu)的(de)(de)PCB空(kong)間也比(bi)標準(zhun)DIMM更(geng)少，既(ji)改善了(le)(le)氣(qi)流，又(you)實現了(le)(le)更(geng)貼(tie)近的(de)(de)元(yuan)件安裝。新(xin)型無鹵素插座(zuo)具(ju)有玻璃填(tian)(tian)充的(de)高溫尼(ni)龍(long)(long)外(wai)殼和(he)閉(bi)鎖裝置，可(ke)以使(shi)用(yong)波峰(feng)焊(han)和(he)高溫紅(hong)外(wai)回(hui)(hui)流焊(han)運(yun)作。
相關鏈接：燦達電子內銷公司，建亞電子，HR燦達連接器
DDR3是為支(zhi)持800 -1600 Mbps的(de)數據速(su)率(lv)(頻率(lv)400 - 800 MHz)而(er)製(zhi)定的(de)DDR DRAM接口技(ji)術，該數據速(su)率(lv)是DDR2接口的(de)兩倍。採用(yong)標準1.5V工(gong)作電壓(ya)，DDR3對比DDR2減(jian)少了(le)30%的功耗(hao)(hao)。 Molex的(de)(de)(de)(de)DDR3 DIMM插座(zuo)(zuo)的(de)(de)(de)(de)底座(zuo)(zuo)面比(bi)標(biao)準設(she)計更低(di)，在ATCA刀片(pian)系(xi)(xi)統中可以(yi)使(shi)用(yong)最大底座(zuo)(zuo)高(gao)度低(di)於(wu)2.80 mm的(de)(de)(de)(de)極(ji)(ji)低(di)側高(gao)模(mo)塊，新(xin)型DDR3 DIMM插座(zuo)(zuo)還具有10 mΩ的(de)(de)(de)(de)低(di)電(dian)平接觸電(dian)阻(zu)，以便使用註冊DIMM模塊並且在刀片式服務器中降低功耗。
Molex產(chan)品經理Douglas Jones表示：“隨著對更高(gao)帶(dai)(dai)寬(kuan)(kuan)的(de)(de)(de)需求繼續(xu)(xu)增長(chang)，能夠以較快(kuai)速(su)率傳(chuan)輸數據而不(bu)犧牲寶貴的(de)(de)(de)空(kong)間或功率是至關重(zhong)要的(de)(de)(de)。使(shi)用DDR3 DIMM插(cha)座(zuo)，讓我(wo)們(men)的(de)(de)(de)客(ke)戶(hu)不(bu)僅能夠充分利用最高性能的存儲器互連的優勢，而且又能維持或減小現有封裝尺寸並降低功耗。”
Molex 空氣(qi)動(dong)力型(xing)DDR3 DIMM插座具有(you)流(liu)線(xian)型(xing)外殼(ke)和閉鎖設計，以實現(xian)氣(qi)流(liu)最大(da)化，並消(xiao)除運作(zuo)期間聚集的熱空氣(qi)。人(ren)類(lei)環境(jing)學閉鎖設(she)計(ji)能夠實現(xian)快速動作(zuo)，並且輕易移開高(gao)密度存(cun)儲器模塊。 2.40 mm的(de)(de)低底座(zuo)面優(you)化了垂(chui)直空間(jian)，能更靈(ling)活地(di)設計插座(zuo)模(mo)塊的(de)(de)高(gao)度。空(kong)氣動(dong)力型DDR3 DIMM插座用(yong)於極低側(ce)高壓(ya)(ya)接(jie)(14.26 mm)、低側(ce)高壓(ya)(ya)接(jie)(22.03 mm)、低側(ce)高SMT (21.34 mm)和極低側(ce)高SMT (14.20 mm)高度，與(yu)標準壓(ya)(ya)接(jie)終端(duan)相比(bi)，這些壓(ya)接(jie)插(cha)(cha)座的(de)(de)針孔型(xing)順應引腳更小(xiao)，有(you)(you)效(xiao)節省(sheng)了寶貴(gui)的(de)(de)PCB空間，以適用於較高密(mi)度的(de)(de)電子線路設(she)(she)計(ji)。 Molex所有空氣動力型DDR3 DIMM插座均符合RoHS標準，SMT型款不含有鹵素。
Molex超低(di)(di)側高DDR3 DIMM插座(zuo)的底座(zuo)面(mian)高僅1.10mm，為(wei)業內最低(di)(di)。該(gai)插座(zuo)在PCB上(shang)提供最高20.23 mm垂直(zhi)空間，用(yong)(yong)於安裝高密(mi)度(du)DIMM，適用(yong)(yong)於要求符(fu)合ATCA電路(lu)板(ban)機械規範的(de)應(ying)用(yong)(yong)，這項規範要求前PCB板(ban)一側(ce)的(de)元件高度(du)不能(neng)超過(guo)21.33 mm。超(chao)低側(ce)高DDR3 DIMM插(cha)座(zuo)的(de)(de)閉鎖(suo)動作的(de)(de)角度較小(xiao)，所(suo)需(xu)(xu)的(de)(de)PCB空(kong)間也比(bi)標準(zhun)DIMM更(geng)少，既(ji)改善了(le)(le)氣(qi)流，又(you)實現了(le)(le)更(geng)貼(tie)近的(de)(de)元(yuan)件安裝。新(xin)型無鹵素插座(zuo)具(ju)有玻璃填(tian)(tian)充的(de)高溫尼(ni)龍(long)(long)外(wai)殼和(he)閉(bi)鎖裝置，可(ke)以使(shi)用(yong)波峰(feng)焊(han)和(he)高溫紅(hong)外(wai)回(hui)(hui)流焊(han)運(yun)作。
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