新聞搜索
中國發明新晶體管 提高芯片製造水平
發佈時間:2013-08-21 08:46:45
在美國《科學》雜誌刊登一個報告中，中國研究人員在成電路的基本單元晶體管研究上取得突破，發明了一種名為半浮柵晶體管的新型基礎微電子器件，可讓數據擦寫更容易、迅(xun)速。據了解，這項發明將有助於我國掌握集成電路的核心技術，讓中國的芯片設計和製造能力在國際上去的更多的話語權。
負責該項目的複旦大學教授王鵬飛說：“國集成電路產業主要依靠引進和吸收國外成熟的技術，在微電子核心器件及集成工藝上缺乏核心技術。半浮柵晶體管的成功研製將有助我國掌握集成電路的核心技術，從而在芯片設計與製造上逐漸獲得更多話語權。”
根據(ju)王鵬飛教授介紹，金屬-氧(yang)化(hua)物(wu)-半導(dao)體(ti)場(chang)效(xiao)應(ying)晶(jing)(jing)(jing)體(ti)管(guan)(MOSFET)是目前(qian)集成(cheng)電(dian)路中(zhong)的主流器(qi)件(jian)，過去(qu)(qu)幾年(nian)的工(gong)藝(yi)進(jin)步，讓晶(jing)(jing)(jing)體(ti)管(guan)的尺寸(cun)不斷的縮小，越來(lai)(lai)越接近物(wu)理(li)極限，這(zhe)樣才迫切需(xu)求並催生出(chu)新的(de)(de)(de)結構(gou)和原(yuan)理(li)的(de)(de)(de)晶(jing)體(ti)(ti)(ti)管，半(ban)浮(fu)柵晶(jing)體(ti)(ti)(ti)管是在MOSFET晶(jing)體(ti)(ti)(ti)管中(zhong)(zhong)內嵌(qian)一(yi)個廣泛用於低(di)功耗電路(lu)的(de)(de)(de)裝(zhuang)置—隧穿(chuan)場(chang)效應(ying)晶(jing)體(ti)(ti)(ti)管(TFET)製(zhi)成。它的優勢在於體積可更小，結構更簡單，讀寫速度更快，且一片這樣的晶體管的功效可比得上多塊MOSFET晶體管。
相關鏈接：連接器廠家
負責該項目的複旦大學教授王鵬飛說：“國集成電路產業主要依靠引進和吸收國外成熟的技術，在微電子核心器件及集成工藝上缺乏核心技術。半浮柵晶體管的成功研製將有助我國掌握集成電路的核心技術，從而在芯片設計與製造上逐漸獲得更多話語權。”
根據(ju)王鵬飛教授介紹，金屬-氧(yang)化(hua)物(wu)-半導(dao)體(ti)場(chang)效(xiao)應(ying)晶(jing)(jing)(jing)體(ti)管(guan)(MOSFET)是目前(qian)集成(cheng)電(dian)路中(zhong)的主流器(qi)件(jian)，過去(qu)(qu)幾年(nian)的工(gong)藝(yi)進(jin)步，讓晶(jing)(jing)(jing)體(ti)管(guan)的尺寸(cun)不斷的縮小，越來(lai)(lai)越接近物(wu)理(li)極限，這(zhe)樣才迫切需(xu)求並催生出(chu)新的(de)(de)(de)結構(gou)和原(yuan)理(li)的(de)(de)(de)晶(jing)體(ti)(ti)(ti)管，半(ban)浮(fu)柵晶(jing)體(ti)(ti)(ti)管是在MOSFET晶(jing)體(ti)(ti)(ti)管中(zhong)(zhong)內嵌(qian)一(yi)個廣泛用於低(di)功耗電路(lu)的(de)(de)(de)裝(zhuang)置—隧穿(chuan)場(chang)效應(ying)晶(jing)體(ti)(ti)(ti)管(TFET)製(zhi)成。它的優勢在於體積可更小，結構更簡單，讀寫速度更快，且一片這樣的晶體管的功效可比得上多塊MOSFET晶體管。
相關鏈接：連接器廠家
