復旦研製出國內首個新型微電子半浮柵晶體管
今年以來，“電子熱”此起彼伏，各類技術創新更成為個股股價爆發的催化劑。
近(jin)日據相(xiang)關媒體(ti)(ti)報導，復旦大學(xue)微電子學(xue)院張衛(wei)課題組成功研(yan)(yan)製(zhi)出第一個介(jie)於普(pu)通MOSFET晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)和浮柵(zha)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)之(zhi)間(jian)的半浮柵(zha)晶(jing)體(ti)(ti)管(guan)（SFGT），該(gai)研(yan)(yan)究成果(guo)被(bei)刊發(fa)在美(mei)國《科(ke)學(xue)》雜誌上(shang)。分析(xi)人(ren)士(shi)表(biao)示，這是我國(guo)科(ke)學家首次在該雜誌(zhi)(zhi)上(shang)發表(biao)微電子(zi)(zi)器(qi)件領域的論文，標(biao)誌(zhi)(zhi)著我國(guo)在全(quan)球(qiu)尖端集成電路技術(shu)創(chuang)新鏈(lian)中獲得了重大(da)突破。預計此(ci)次微(wei)電(dian)子的(de)罕(han)見(jian)成(cheng)就將(jiang)催生新一(yi)波(bo)的(de)“元器(qi)件熱”，相關個股華(hua)微(wei)電(dian)子(600360,股吧)(行(xing)情(qing),問(wen)(wen)診(zhen))、復(fu)旦(dan)復(fu)華(hua)(600624,股吧)(行(xing)情(qing),問(wen)(wen)診(zhen))、長電科技(600584,股吧)(行情,問診)及風華高科(000636,股吧)(行情,問診)有望獲得資金青睞。
微電子罕見成就意義重大
據相關(guan)媒體(ti)(ti)報(bao)(bao)導，復旦(dan)大學(xue)微電(dian)子學(xue)院張(zhang)衛(wei)課(ke)題(ti)組成(cheng)功(gong)(gong)研(yan)製(zhi)出第(di)一(yi)個介於普通MOSFET晶體(ti)(ti)管和(he)浮柵(zha)晶體(ti)(ti)管之間的半浮柵(zha)晶體(ti)(ti)管（SFGT）。 8月9日，美國《科學》雜誌刊發了該研究成果，這是我國科學家首次在該雜誌上發表微電子器件領域的論文，標誌著我國在全球尖端集成電路技術創新鏈中獲得重大突破。
據介紹(shao)，金屬(shu)—氧(yang)化(hua)物—半導(dao)體(ti)場效應晶體(ti)管(guan)（MOSFET）是(shi)(shi)目(mu)前集成電路中(zhong)最基本的(de)器(qi)(qi)件(jian)(jian)，而(er)常(chang)用的(de)U盤(pan)等閃(shan)存器(qi)(qi)件(jian)(jian)多采用另一(yi)種被稱(cheng)為(wei)浮柵晶體(ti)管(guan)的(de)器(qi)(qi)件(jian)(jian)。此次(ci)研究人(ren)員(yuan)把一(yi)個(ge)隧穿場效(xiao)應晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)（TFET）和浮(fu)柵(zha)器(qi)件結合(he)起(qi)來，構(gou)成了一(yi)種(zhong)全(quan)新的“半浮(fu)柵(zha)”結構(gou)器(qi)件，稱為半浮(fu)柵(zha)晶(jing)(jing)體(ti)(ti)管(guan)。它具有高密度和低功耗的明顯優勢，可取代一部分靜態隨機存儲器（SRAM），並應用於動態隨機存儲器（DRAM）領域以及主動式圖像傳感器芯片（APS）領域。
據復旦(dan)大(da)學(xue)微電子(zi)學(xue)院(yuan)張衛介紹(shao)道(dao)，作為(wei)一種基礎電子(zi)器件，半浮柵(zha)晶體管在(zai)存(cun)儲和圖(tu)像傳感等領域(yu)(yu)的潛在(zai)應(ying)用(yong)市場規模(mo)超(chao)過(guo)300億(yi)美元。它的成功研製將有助於我國掌握集成電路的核心技術，從而在國際芯片設計與製造領域內逐漸獲得更多的話語權。
而不(bu)同(tong)於實(shi)驗(yan)室研(yan)究的基(ji)於碳納米(mi)管、石墨烯(xi)等新材(cai)料(liao)(liao)的晶(jing)體(ti)管，半浮柵晶(jing)體(ti)管是一(yi)種基(ji)於標準矽CMOS工(gong)藝(yi)(yi)的微電子器件(jian)。張(zhang)衛表示，半(ban)浮柵晶體(ti)管(guan)兼容(rong)現(xian)有(you)主(zhu)(zhu)流集(ji)(ji)成電路製造工藝，具(ju)有(you)很(hen)(hen)好(hao)(hao)的(de)(de)(de)產業化基(ji)礎(chu)；不(bu)過(guo)，擁(yong)有(you)核心專利(li)並不(bu)等於擁(yong)有(you)未(wei)來的(de)(de)(de)廣闊(kuo)市(shi)場(chang)。儘管半浮柵晶體管應用市場廣闊，但前提是對核心專利進行優化佈局。
國際巨頭加大支出半導體消費規模創新高
據海外(wai)(wai)媒體報導(dao)，儘管全球芯片銷量(liang)去年出(chu)(chu)現(xian)了下滑(hua)，但今(jin)年全球半(ban)(ban)(ban)導(dao)體市場(chang)(chang)有望因(yin)國(guo)際(ji)(ji)大電(dian)子品牌(pai)商(shang)(shang)的(de)(de)加大支(zhi)(zhi)出(chu)(chu)而(er)實現(xian)復(fu)甦；其中，蘋果和三(san)星將會(hui)角(jiao)逐(zhu)(zhu)成(cheng)為(wei)今(jin)年半(ban)(ban)(ban)導(dao)體市場(chang)(chang)上最(zui)大的(de)(de)消費者。
今年(nian)以來，設(she)備廠商們對(dui)半(ban)導體(ti)領域的投資熱情十(shi)分高(gao)漲。據市場(chang)調查(cha)機(ji)構IHS的(de)(de)估(gu)計，今(jin)年(nian)全球主要設備生產(chan)商(shang)的(de)(de)半導體市場(chang)開支(zhi)有望增(zeng)長(chang)(chang)(chang)至2652億(yi)(yi)美(mei)元，較(jiao)去(qu)年(nian)的(de)(de)2544億(yi)(yi)美(mei)元，同比增(zeng)長(chang)(chang)(chang)4.2%。更為重要的是，2013年的半導體市場消費規模將達到過去六年來的最高水平。
業(ye)已(yi)成為全球(qiu)PC貨量(liang)(liang)最(zui)大的(de)(de)中國市場，目(mu)前(qian)(qian)在與全球(qiu)PC相關的(de)(de)芯片支出(chu)方(fang)面(mian)仍佔有(you)舉足(zu)輕重(zhong)的(de)(de)比重(zhong)。據市場調查(cha)機(ji)(ji)構(gou)IDC估計(ji)，全(quan)球(qiu)芯(xin)片(pian)產業在今年(nian)仍有望實現較低的個(ge)位數增長，增長主要(yao)是來自於移動(dong)領域，其中蘋果(guo)和(he)三(san)星(xing)為該領域的統治者(zhe)。據(ju)(ju)IHS的(de)數據(ju)(ju)顯(xian)示(shi)，僅無線(xian)通訊板(ban)塊今年就佔據(ju)(ju)了半導體市(shi)場(chang)26%的(de)份(fen)額(e)，即大約(yue)620億美(mei)元的(de)份(fen)額(e)。該板塊在2013年也是增長最快的一個市場，全年預期增幅達12.8%。
據悉，蘋果和(he)三(san)星是(shi)今年(nian)(nian)半(ban)導體市場(chang)上支出規(gui)(gui)模(mo)最(zui)高的兩(liang)家公司(si)，排(pai)在(zai)它們之(zhi)後的一些(xie)廠(chang)商(shang)(shang)包括有惠普、聯想(xiang)、索尼(ni)、戴(dai)爾(er)、思科、松(song)下、東芝以及華碩(shuo)電(dian)腦(nao)。當中部分廠商既為芯片生產商身份，也同時為芯片供應商，還有部分廠商在芯片支出方面保持著增長，也有部分廠商出現了下滑。
技術創新或催生新一輪“元器件熱”
我(wo)國(guo)(guo)(guo)科學家首次研製出新(xin)(xin)型(xing)微電(dian)子半(ban)(ban)浮柵晶體(ti)管，這(zhe)標誌著(zhu)我(wo)國(guo)(guo)(guo)在全球尖端(duan)集(ji)成(cheng)電(dian)路技(ji)術(shu)創(chuang)新(xin)(xin)鏈(lian)中(zhong)獲得了(le)重大突破(po)，再加上(shang)年內國(guo)(guo)(guo)際巨(ju)頭的(de)爭相投入(ru)，半(ban)(ban)導(dao)體(ti)投資熱情不(bu)(bu)減(jian)，預計新(xin)(xin)一波的“元器件熱”將順勢而出，相關個股華微電子（600360）、復旦復華（600624）、長電科技（600584）及風華高科（000636）有望獲得資金的青睞。
華(hua)(hua)微(wei)電(dian)子(zi)(zi)（600360）：公(gong)(gong)司自(zi)2007年起開始(shi)(shi)進(jin)行“新型(xing)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)(zi)器(qi)件MOSFET產品技術研發(fa)項目(mu)”，取得了(le)一項發(fa)明專(zhuan)利（“一種(zhong)(zhong)複合柵(zha)、柵(zha)源(yuan)自(zi)隔離(li)VDMOS、IGBT功率器(qi)件及(ji)(ji)其製造工(gong)藝(yi)”，）和(he)兩(liang)項實用(yong)新型(xing)(xing)專(zhuan)利（“採用(yong)PSG摻雜(za)技(ji)術的VDMOS、IGBT功率(lv)(lv)器(qi)件(jian)(jian)”，“一種複合(he)(he)柵(zha)(zha)、柵(zha)(zha)源自隔離VDMOS、IGBT功率(lv)(lv)器(qi)件(jian)(jian)”），從(cong)(cong)而(er)形成了(le)一套(tao)完整、成熟的MOS製造技術和工藝體系，目前已開發出200V、400V、500V、600V系列產品，並已在公司現有48萬片六英寸生產線上實現了批量化生產。
長(chang)(chang)電(dian)(dian)(dian)科技(ji)（600584）：經(jing)(jing)國(guo)家(jia)發(fa)改委批準，以(yi)國(guo)內(nei)(nei)集(ji)成(cheng)電(dian)(dian)(dian)路(lu)封(feng)測領(ling)軍企業江(jiang)蘇長(chang)(chang)電(dian)(dian)(dian)科技(ji)股(gu)份公司(si)為(wei)依托(tuo)，聯(lian)合中(zhong)科院微(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)研究所(suo)(suo)、清華大學微(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)所(suo)(suo)、深(shen)(shen)圳微(wei)電(dian)(dian)(dian)子(zi)所(suo)(suo)、深(shen)(shen)南電(dian)(dian)(dian)路(lu)有限公司等五(wu)(wu)家(jia)單(dan)位(wei)共(gong)同組建(jian)的(de)我國(guo)(guo)第一家(jia)“高密(mi)度集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)封(feng)裝(zhuang)技(ji)(ji)術國(guo)(guo)家(jia)工(gong)(gong)程(cheng)實驗室(shi)”於(wu)2009年(nian)6月(yue)21日在(zai)江陰(yin)的(de)長電(dian)科技(ji)(ji)成(cheng)立，這(zhe)標誌著國(guo)(guo)家(jia)重(zhong)點扶持的(de)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)封(feng)裝(zhuang)技術產學(xue)研相結合(he)的(de)工程(cheng)實驗平臺正(zheng)式啟(qi)(qi)動。公(gong)司(si)目前(qian)(qian)的(de)(de)(de)主要產(chan)品為(wei)Trench-Mosfet、Sj-Mosfet、IGBT等電(dian)(dian)力電(dian)(dian)子器(qi)(qi)(qi)件和(he)變(bian)頻器(qi)(qi)(qi)件的(de)(de)(de)芯片設計，在國內(nei)具(ju)備領(ling)先優勢(shi)，事實(shi)上此(ci)前(qian)(qian)公(gong)司(si)對片式(shi)功率器(qi)(qi)(qi)件封裝(zhuang)生產(chan)線(xian)技改(gai)擴能的(de)(de)(de)項(xiang)目也是主要針對MOSFET。
復(fu)(fu)旦(dan)復(fu)(fu)華（600624）：公(gong)(gong)司(si)是複旦(dan)大(da)(da)學(xue)控股(gu)的(de)(de)(de)上市(shi)公(gong)(gong)司(si)，依托復(fu)(fu)旦(dan)大(da)(da)學(xue)雄厚(hou)的(de)(de)(de)科(ke)研、技(ji)(ji)術(shu)、人才優勢，成(cheng)(cheng)功(gong)確立(li)了以軟(ruan)件(jian)開發、生物醫藥、園(yuan)區(qu)房產(chan)(chan)為(wei)核(he)心的(de)(de)(de)科(ke)技(ji)(ji)產(chan)(chan)業(ye)體系，目(mu)前已擁(yong)有中國(guo)(guo)重(zhong)要(yao)的對日(ri)軟件(jian)出口(kou)平臺，具(ju)有科技創(chuang)新(xin)能力的藥品研發、生產、營銷(xiao)基(ji)地(di)，以(yi)及(ji)廣(guang)納(na)國(guo)(guo)內外(wai)高(gao)新(xin)技術企業(ye)的國(guo)(guo)家(jia)級(ji)高(gao)新(xin)技術園(yuan)區。此次復旦大學教授在微電子上的突出成就雖然跟公司沒有直接關係，但今年復旦大學持續在人腦水鋰電池等行業上獲得突出研究能力，因而正面效應依然存在。
風華高(gao)科（000636）：公(gong)司是(shi)目前國內(nei)片(pian)式(shi)元(yuan)器(qi)(qi)件(jian)(jian)(jian)規(gui)模最(zui)大(da)、元(yuan)件(jian)(jian)(jian)產品系列(lie)配(pei)套最(zui)齊(qi)全的具(ju)備國際(ji)(ji)競(jing)爭力的電子(zi)元(yuan)件(jian)(jian)(jian)企業(ye)(ye)，是(shi)MLCC及片(pian)式(shi)電阻器(qi)(qi)全球(qiu)(qiu)十大(da)企業(ye)(ye)之(zhi)一(yi)。公司(si)研(yan)(yan)製、生產和(he)銷售(shou)系列新型片式元(yuan)器件(jian)，2011年更是對(dui)半(ban)(ban)導體高壓(ya)功(gong)(gong)率MOSFET生產技術線(xian)(xian)進行了改(gai)造。
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