圖1. MB51T008A
MB51T008A具有許多優點，包括：1)導電阻13 mΩ，總柵極電荷為16 nC，使用相同的擊穿電壓，實現的品質因數(FOM)大約是基于硅的電源芯片產品的一半；2)使用WLCSP封裝，最小的寄生電感和高頻率操作；3) 專有的柵極設計，可實現默認關閉狀態，可進行常關操作。新產品是數據通信設備、工業產品和汽車電源中使用的DC-DC轉換器的高邊開關和底邊開關的理想選擇。此外，由于其支持電源電路中更高的開關頻率，電源產品可實現整體尺寸縮小和效率的提高。富士通半導體計劃于2013年7月起開始提供樣片，并于2014年開始批量生產。
除(chu)了提(ti)供150 V的(de)(de)(de)耐壓(ya)值產(chan)(chan)品(pin)，富士(shi)通(tong)(tong)半導(dao)體還開發(fa)了耐壓(ya)為(wei)600 V 和(he) 30 V的(de)(de)(de)產(chan)(chan)品(pin)，從而有(you)(you)助于在(zai)更寬廣(guang)的(de)(de)(de)產(chan)(chan)品(pin)領域(yu)提(ti)高電源效率(lv)。這些(xie)GaN功(gong)(gong)率(lv)器(qi)件芯片采用富士(shi)通(tong)(tong)研究(jiu)所(suo)自20世紀80年代來牽頭開發(fa)的(de)(de)(de)HEMT (高電子遷(qian)移率(lv)晶體管)技術。富士(shi)通(tong)(tong)半導(dao)體在(zai)GaN領域(yu)擁有(you)(you)大量的(de)(de)(de)專(zhuan)利技術和(he)IP，可迅速將GaN功(gong)(gong)率(lv)器(qi)件產(chan)(chan)品(pin)推向市場。富士(shi)通(tong)(tong)半導(dao)體還計(ji)劃與客戶在(zai)各個行業建立(li)合作伙伴關系，以(yi)進(jin)一步拓展業務。
富士通半導體(ti)于TECHNO- FRONTIER 2013展出(chu)MB51T008A和其它GaN產品(pin)。時(shi)間：2013年7月17-19日，地點：日本東京(jing)國(guo)際博覽中心。公(gong)司會提供性(xing)能有進一步提高的(de)(de)具(ju)有2.5KW輸出(chu)功率(lv)的(de)(de)電(dian)源(yuan)原(yuan)形產品(pin)和測試數據(ju)， 該產品(pin)的(de)(de)高頻PFC模塊和高頻DC-DC轉換器(qi)采用了(le)600V耐壓的(de)(de)GaN功率(lv)器(qi)件。
