富士通半導體（上海）有限公司今日宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產品初始狀態是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規格的硅功率器件，品質因數(FOM)可降低近一半。基于富士通半導體的GaN功率器件，用戶可以設計出體積更小，效率更高的電源組件，可廣泛的運用于ICT設備、工業設備和汽車電子等領域。
MB51T008A具有許多優點，包括：1)導電阻13 mΩ，總柵極電荷為16 nC，使用相同的擊穿電壓，實現的品質因數(FOM)大約是基于硅的電源芯片產品的一半；2)使用WLCSP封裝，最小的寄生電感和高頻率操作；3) 專有的柵極設計，可實現默認關閉狀態，可進行常關操作。新產品是數據通信設備、工業產品和汽車電源中使用的DC-DC轉換器的高邊開關和底邊開關的理想選擇。此外，由于其支持電源電路中更高的開關頻率，電源產品可實現整體尺寸縮小和效率的提高。富士通半導體計劃于2013年7月起開始提供樣片，并于2014年開始批量生產。
除了(le)(le)提(ti)(ti)供150 V的耐壓值產品(pin)，富士(shi)通半(ban)導體(ti)(ti)還(huan)開發(fa)了(le)(le)耐壓為600 V 和 30 V的產品(pin)，從(cong)而有助(zhu)于在(zai)更寬(kuan)廣的產品(pin)領域提(ti)(ti)高電源效率(lv)(lv)(lv)。這些GaN功(gong)率(lv)(lv)(lv)器件芯片采用富士(shi)通研究所(suo)自20世(shi)紀80年代來牽頭開發(fa)的HEMT (高電子遷移率(lv)(lv)(lv)晶體(ti)(ti)管)技術(shu)。富士(shi)通半(ban)導體(ti)(ti)在(zai)GaN領域擁有大量(liang)的專利技術(shu)和IP，可(ke)迅速將(jiang)GaN功(gong)率(lv)(lv)(lv)器件產品(pin)推向市場。富士(shi)通半(ban)導體(ti)(ti)還(huan)計劃與客(ke)戶在(zai)各個行業(ye)建(jian)立合作伙伴關系，以進一步拓展業(ye)務(wu)。
富(fu)士通半導體于TECHNO- FRONTIER 2013展出MB51T008A和其(qi)它GaN產(chan)品。時間：2013年7月17-19日，地點：日本東京國(guo)際(ji)博覽中心。公司會提(ti)供性能有進一步提(ti)高的(de)具有2.5KW輸出功(gong)率的(de)電(dian)源原形產(chan)品和測試數(shu)據， 該產(chan)品的(de)高頻PFC模(mo)塊和高頻DC-DC轉換器采用了(le)600V耐壓的(de)GaN功(gong)率器件。
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