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IC Insights：全球前十大半導體廠資本支出排行,美光閃耀
發佈時間:2014-03-27 08:36:13
市調機構IC Insights發表全球半導體廠今年資本支出預估調查，三星、英特爾、臺積電等3大廠仍是全球主要投資者，且3大廠今年資本支出就佔全球資本支出總額的51.8％強。業界認為，先進製程的投資快速飆升，預估至10奈米世代時，可能只有前3大廠有能力進行大規模投資。
據統計，去年(nian)全(quan)球(qiu)半(ban)導(dao)體廠(chang)(chang)(chang)資本支(zhi)出(chu)(chu)總額(e)達(da)(da)574.3億(yi)美元(yuan)(yuan)，前10大(da)廠(chang)(chang)(chang)佔比(bi)達(da)(da)80％，至於(wu)前3大(da)廠(chang)(chang)(chang)佔比(bi)則(ze)高(gao)達(da)(da)55.5％，大(da)者(zhe)恆大(da)的態(tai)勢十分(fen)明確。今年全球半導體廠資本支出將達622.3億元，年增率達8％，其中前10大廠佔比再攀升至81％，前3大廠佔比雖然降至51.8％，但仍然維持過半。
由(you)(you)前(qian)(qian)10大廠(chang)資本(ben)(ben)支出變(bian)化來看，去(qu)年僅有臺積電(dian)、格羅方(fang)德（GlobalFoundries）、東芝、中芯(xin)等(deng)4家(jia)(jia)業(ye)者(zhe)資本(ben)(ben)支出較前(qian)(qian)年增加(jia)，但(dan)今(jin)年除了三(san)星之外，其餘9家(jia)(jia)業(ye)者(zhe)資本(ben)(ben)支出均高過去年水準，其中以新帝的資本支出年增率約達86％最高，主要是與東芝合資的NAND Flash廠將在今年下半年量產，且3D NAND也將開始加快研發腳步。
美光(guang)去年(nian)(nian)併購(gou)日本(ben)DRAM廠爾(er)必達(da)後(hou)，今(jin)年(nian)(nian)為了加速轉進20奈(nai)米世代，並提高(gao)NAND Flash產(chan)能(neng)，所以預(yu)估(gu)今(jin)年(nian)(nian)資本(ben)支出(chu)將達(da)30.5億美元、年(nian)(nian)增率(lv)高(gao)達(da)58％，是成長率(lv)第2高的業者。
業(ye)(ye)界人(ren)士認為(wei)，今年(nian)(nian)雖(sui)然(ran)(ran)有(you)9家(jia)業(ye)(ye)者的(de)資(zi)本支(zhi)出(chu)(chu)超過(guo)10億(yi)(yi)美(mei)元(yuan)規模(mo)，但前3大廠與其(qi)它業(ye)(ye)者間的(de)差距實(shi)在太(tai)大，如三星及英(ying)特爾資(zi)本支(zhi)出(chu)(chu)今年(nian)(nian)仍(reng)超過(guo)110億(yi)(yi)美(mei)元(yuan)，臺積電(dian)則略低於100億美元，幾乎是第10名中芯的年度支出的10倍以上。
當然(ran)前(qian)3大廠(chang)之(zhi)所以(yi)會投(tou)(tou)入如(ru)此(ci)龐(pang)大資(zi)(zi)金(jin)，一來(lai)是(shi)為(wei)了提高產能，二(er)來(lai)則是(shi)因(yin)為(wei)先(xian)進(jin)製程的微縮(suo)投(tou)(tou)資(zi)(zi)花(hua)費愈來(lai)愈高，如(ru)20奈(nai)米晶圓(yuan)廠(chang)投(tou)(tou)資(zi)(zi)金(jin)額(e)高達70億美(mei)(mei)元，製程研發投資高達15億美元，已經不是一般半導體廠玩得起的遊戲。
業界認(ren)為(wei)，明年(nian)全球(qiu)半導(dao)體(ti)廠將進(jin)入??3D架構記(ji)(ji)憶體(ti)及電(dian)晶(jing)(jing)體(ti)新時代(dai)(dai)，但記(ji)(ji)憶體(ti)製(zhi)程微縮帶(dai)來(lai)的成本(ben)(ben)效(xiao)益已然有(you)(you)效(xiao)，業者投資金額不(bu)太可能(neng)再放(fang)大，至於邏輯IC因(yin)進(jin)入14/16奈米(mi)鰭式(shi)場(chang)效電(dian)晶體（FinFET）世代(dai)，需要比20奈(nai)米(mi)投(tou)入(ru)(ru)更(geng)(geng)高資金(jin)進(jin)行擴產(chan)及研(yan)發(fa)(fa)，2017年(nian)進(jin)入(ru)(ru)10奈(nai)米(mi)世代(dai)後，看來只(zhi)有三星、英特爾、臺積電(dian)有能力進(jin)行大規(gui)模投(tou)資。
建亞電子/燦達HR是集連接器產品研發、製造、銷售一體的專業HR連接器製造型企業，產品有環保無鹵電子連接器、端子連接器、Housing、Wafer、Terminal、小間距FFC/FPC 連接器及連接器模具研發製造,為客戶提供定制化服務，專案開發。官網：//gsjsf.cn，諮詢熱線 400-0769-458.
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由(you)(you)前(qian)(qian)10大廠(chang)資本(ben)(ben)支出變(bian)化來看，去(qu)年僅有臺積電(dian)、格羅方(fang)德（GlobalFoundries）、東芝、中芯(xin)等(deng)4家(jia)(jia)業(ye)者(zhe)資本(ben)(ben)支出較前(qian)(qian)年增加(jia)，但(dan)今(jin)年除了三(san)星之外，其餘9家(jia)(jia)業(ye)者(zhe)資本(ben)(ben)支出均高過去年水準，其中以新帝的資本支出年增率約達86％最高，主要是與東芝合資的NAND Flash廠將在今年下半年量產，且3D NAND也將開始加快研發腳步。
美光(guang)去年(nian)(nian)併購(gou)日本(ben)DRAM廠爾(er)必達(da)後(hou)，今(jin)年(nian)(nian)為了加速轉進20奈(nai)米世代，並提高(gao)NAND Flash產(chan)能(neng)，所以預(yu)估(gu)今(jin)年(nian)(nian)資本(ben)支出(chu)將達(da)30.5億美元、年(nian)(nian)增率(lv)高(gao)達(da)58％，是成長率(lv)第2高的業者。
業(ye)(ye)界人(ren)士認為(wei)，今年(nian)(nian)雖(sui)然(ran)(ran)有(you)9家(jia)業(ye)(ye)者的(de)資(zi)本支(zhi)出(chu)(chu)超過(guo)10億(yi)(yi)美(mei)元(yuan)規模(mo)，但前3大廠與其(qi)它業(ye)(ye)者間的(de)差距實(shi)在太(tai)大，如三星及英(ying)特爾資(zi)本支(zhi)出(chu)(chu)今年(nian)(nian)仍(reng)超過(guo)110億(yi)(yi)美(mei)元(yuan)，臺積電(dian)則略低於100億美元，幾乎是第10名中芯的年度支出的10倍以上。
當然(ran)前(qian)3大廠(chang)之(zhi)所以(yi)會投(tou)(tou)入如(ru)此(ci)龐(pang)大資(zi)(zi)金(jin)，一來(lai)是(shi)為(wei)了提高產能，二(er)來(lai)則是(shi)因(yin)為(wei)先(xian)進(jin)製程的微縮(suo)投(tou)(tou)資(zi)(zi)花(hua)費愈來(lai)愈高，如(ru)20奈(nai)米晶圓(yuan)廠(chang)投(tou)(tou)資(zi)(zi)金(jin)額(e)高達70億美(mei)(mei)元，製程研發投資高達15億美元，已經不是一般半導體廠玩得起的遊戲。
業界認(ren)為(wei)，明年(nian)全球(qiu)半導(dao)體(ti)廠將進(jin)入??3D架構記(ji)(ji)憶體(ti)及電(dian)晶(jing)(jing)體(ti)新時代(dai)(dai)，但記(ji)(ji)憶體(ti)製(zhi)程微縮帶(dai)來(lai)的成本(ben)(ben)效(xiao)益已然有(you)(you)效(xiao)，業者投資金額不(bu)太可能(neng)再放(fang)大，至於邏輯IC因(yin)進(jin)入14/16奈米(mi)鰭式(shi)場(chang)效電(dian)晶體（FinFET）世代(dai)，需要比20奈(nai)米(mi)投(tou)入(ru)(ru)更(geng)(geng)高資金(jin)進(jin)行擴產(chan)及研(yan)發(fa)(fa)，2017年(nian)進(jin)入(ru)(ru)10奈(nai)米(mi)世代(dai)後，看來只(zhi)有三星、英特爾、臺積電(dian)有能力進(jin)行大規(gui)模投(tou)資。
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